에피택시얼 원자로 시장을 도달 KRW4.17 억 2035 년에 의해 구동 SiC 및 GaN 확장에서 전기 자동차
글로벌에피택시얼 반응기 시장가치, USD2.05 억 2026,에 도달 할 것으로 예상된
KRW4.17 억 by2035. 이러한 성장을 나타내는 합성 연간 성장율 (CAGR)8.2% 에서 2026 2035 년에는,대한
자세한 최신 전략 분석에서 반도체 통찰력. 보고서 밑줄 중요한 변화에 반도체 제조:로 전통적인 실리콘 제한 테스트,업계는 회전식으로
와이드 밴드갭(WBG)같은 재료를 실리콘 탄화물(SiC) 및 질화갈륨(GaN),필요로 하는 전문,고온의 에피택셜 성장이다.
에피택시얼 반응기의 기초"perfect"크리스털 성장이다. 달리 표준 deposition,에피택시
생성 싱글-레이어 크리스탈을 모방하는 기판의 격자 구조,활성화한 정확한 전기적 특성에 필요한 5G 전력 증폭기,AI 가속기,그리고 고전압 EV
변환장치입니다.
전력 전자 혁명의 핵심 성장 촉매
기본 드라이버에 대한 시장에서 가속 2026 은 급속 충전의 글로벌 자동차 함대의 확장 5G/6G
infrastructure.
- Electric
Vehicles(EVs): 에 2026 전환 400V 을 800V EV 아키텍처 에 연료를 공급하고 대규모에 대한
수요 SiC기반의 견인력 변환장치입니다. SiC Mosfet,성장에서 높은 온도에 에피자,제공하는 최대 7%큰 범위와 더 빠른 위탁하고
기존 실리콘입니다.
- AI 및
데이터 센터: 폭발의 작업이 요구하는 전례 없는 전력 밀도입니다. 하이브리드 디자인이 결합 Si, SiC,그리고 간 다는 통합
데이터 센터 전력 공급 장치(Psu)을 충족하다 엄격한 에너지 효율 기준을 수립,운전에 서지 MOCVD 및 RPCVD 공구 주문입니다.
다운로드 무료 샘플 보고서:에피택시얼
반응기 시장에 상세한 연구 보고서
시장 세분화:MOCVD 지배하고 화합물 반도체
보고서를 식별하는 강으로의 변화 화합물 반도체 애플리케이션 및 고급 침착 기술:
세그먼트 분석:
- 에 의해
유형
- MOCVD(금속-유기
화학 기상 증착): 지배적인 세그먼트를 들고 약 45%의 점유율 에서 2026.
- MBE(Molecular
Beam Epitaxy): 을 유지하는 중요한 틈새 시장에 대한 매우 높은 순수성 연구과 전문 optoelectronics.
- 다른
사람(CVD,HVPE,VPE): 중요한 대량 실리콘고 두꺼운층 전원 장치를 생산합니다.
- 에 의해
기판 재료
- 실리콘(Si):
유량 지도자를 위한 전통적인 논리와 메모리입니다.
- Silicon
Carbide(SiC): 서 빠르게 성장하고되고,표준에 대한 800V 자동차 전력전자.
- 질화갈륨(GaN):
상승 채택에 5G RF 모듈 및 소비자의 빠른 충전기입니다.
- 응용 프로그램
- 반도체
및 전력전자: 주요한 세그먼트,캡처를 통해 40%시장의 활용.
- LED&광전자공학:
전환로 MicroLED 및 높은 광도 LED 응용 프로그램.
- 태양광 셀&다른
사람입니다.
경쟁적인 조경:3 위 선수 제어의 60%는 시장
시장에 남아 있는 고도의 집중과 함께 몇 가지 주요 지도자들을 정의하기 위한 기술 로드맵을 2026:
- AIXTRON(독일):
의 글로벌 리더 MOCVD,특히 GaN 및 SiC 전원 장치입니다.
- Veeco
Instruments(미국): 에서 지배적이고 높은 볼륨 웨이퍼 처리 및 photonics;최근에 강화하고 원문 을 통해 위치의
취득 Epiluvac AB.
- ASM
International(네덜란드): 에 초점을 맞추고 하나의 웨이퍼 에피택시를 위한 최첨단 로직 노드입니다.
- 에 적용된
재료 및 도쿄 Electron: 을 제공하는 높은 처리량에 대한 원자로 글로벌 논리 및 기억 fab 확장.
업계 지도자들은 자신을 차별화를 통한 통합 측정,어디로 모니터링 레이어 두께하고 크리스탈에서 품질을
사용하여 실시간으로 AI-향상된 피드백 루프를 크게 줄이는 결함 속에 200mm SiC 생산입니다.
Regional Outlook:아시아-태평양 및"칩 행위"회복력
아시아-태평양 시장을 주도하고 있으로 50%수익에 의해 구동되는 대용량의 확장에서는
대만,중국,대한민국. 혼자 중국의 거의 40% 의 글로벌 SiC 및 GaN 에피택시얼 장비 시장입니다. 한편,북아메리카
보고 부활 국내에서 도구는 수요에 의해 연료 칩 행위 자금 조달을 목표로 지역화 300mm 웨이퍼 및 WBG 반도체 제조하고 있습니다.
보고서 범위 및 가용성
연구 보고서 제공하는 포괄적 분석의 글로벌 에피택시얼 반응기에서 시장 2024-2035. 그것은
커버 영향의 지정학적 공급 체인의 이동,150mm200mm SiC 웨이퍼의 전환,그리고 출현을 갈륨의 산화물($\베타-Ga_2O_3$)으로 미래
물자입니다.
전체 보고서가 여기에에피택시얼 반응기
시장:나오는 동향,기술 발전,그리고 비즈니스 전략 2026-2035-기에 대한 자세한 연구 보고서
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에 대해 반도체 통찰력
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