NAND 플래시 메모리 및 DRAM 시장 규모, 점유율 및 전망: 2034년까지 2,133억 7천만 달러 규모

https://semiconductorinsight.com/report/nand-flash-memory-and-dram-market/

 

전 세계 NAND 플래시 메모리 및 DRAM 시장 규모는 2024년 1,397억 3천만 달러였으며, 2026년부터 2034년까지 연평균 6.4%의 성장률을 기록하며 2032년에는 2,133억 7천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 데이터 센터, 인공지능(AI), 소비자 가전 분야에서 꾸준한 수요가 지속되고 있습니다.

NAND 플래시 메모리는 데이터를 유지하는 데 전원이 필요하지 않은 비휘발성 저장 기술의 한 종류로, NAND 논리 게이트와 유사한 구조로 연결된 플로팅 게이트 트랜지스터를 사용합니다. 이 기술은 플래시 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD), 메모리 카드와 같은 일반적인 저장 장치에 사용됩니다. 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)는 금속 산화물 반도체(MOS) 기술 기반의 미세한 커패시터와 트랜지스터로 구성된 메모리 셀에 각 비트의 데이터를 저장하며, 컴퓨팅 시스템에 휘발성 메모리를 제공합니다.

👉 전체 산업 분석 및 수요 예측 자료는 여기에서 확인하세요: https://semiconductorinsight.com/report/nand-flash-memory-and-dram-market/

시장 정의 및 동향

NAND 플래시와 DRAM은 저장 및 처리를 위한 핵심 메모리 기술로, NAND는 영구적인 데이터 보존을 가능하게 하고 DRAM은 고속 액세스를 지원합니다. 주요 강점으로는 AI 기반 데이터 폭증과 200개 이상의 레이어로 확장 가능한 3D NAND의 기술 발전이 있습니다. 공급 변동성 속에서도 중국(27% 점유율)과 한국(24%)이 생산을 주도하고 있습니다.

시장 동인

  • 데이터 중심 앱 급증 (AI, IoT, 8K 스트리밍)
  • 기술 발전: 3D NAND(200개 이상 레이어), DDR5/HBM
  • 디지털 전환은 IT 인프라를 강화합니다.

시장 제약

  • 공급 과잉으로 인한 주기적인 가격 변동성
  • 규모 제한으로 인해 연구 개발/수율 측면에서 어려움이 발생합니다(<10nm).
  • 지정학적 위험은 아시아 태평양 지역에 집중되어 있다.
  • 높은 자본 지출 장벽은 과점 시장에 유리하게 작용한다.

시장 기회

  • 자동차/ADAS 분야의 성장에 따라 안정적인 메모리가 필요합니다.
  • CXL은 AI 데이터 센터를 위한 풀링된 메모리를 지원합니다.

경쟁 환경

삼성, 마이크론, SK하이닉스는 3D NAND 및 DDR5 기술 혁신을 통해 73%의 시장 점유율을 확보하고 있습니다. 중국의 자급자족 추진에 힘입어 아시아 태평양 지역의 반도체 제조 시설들이 생산 능력 확대를 주도하고 있습니다.

주요 NAND 플래시 메모리 및 DRAM 제조업체 목록

  • 삼성전자
  • 마이크론 기술
  • SK하이닉스
  • 키옥시아 홀딩스 주식회사
  • 웨스턴 디지털
  • 인텔 코퍼레이션
  • 난야 테크놀로지
  • 윈본드 일렉트로닉스
  • 파워칩 반도체 제조 주식회사(PSMC)
  • ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)
  • 양쯔 메모리 테크놀로지스 주식회사(YMTC)
  • 마크로닉스 인터내셔널
  • 아데이터 테크놀로지

유형별 세그먼트 분석

  • NAND 플래시 메모리
  • 음주

애플리케이션 별 세그먼트 분석

  • 스마트폰
  • PC
  • SSD
  • 디지털 TV
  • 기타

지역별 분석

아시아 태평양 지역은 한국/일본의 반도체 제조 시설(삼성/SK하이닉스/키옥시아)과 중국의 수요 및 생산을 중심으로 시장을 주도하고 있으며, 대만의 패키징 업체들이 이를 뒷받침하고 있습니다. 북미/유럽은 데이터 센터를 중심으로 시장을 주도하고 있지만, 지정학적 긴장으로 인해 시장 다변화가 가속화되고 있습니다.

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