글로벌 실리콘 포토닉스 죽는 시장에 도달하 KRW523.8 만 2034 속에서 공동 포장 광학혁명
글로벌 실리콘 포토닉스 죽을 시장에 평가되었다 USD284.6 만 2026 과를 도달할 것으로 예상 된다
USD523.8 만 2034,전시 성장률은 8.0%의 예측 기간 동안 2026-2034. 장 트랙규모 데이터 센터 capex 및 800G+송수신기
램프가 있습니다.
실리콘 포토닉스가 죽을 통합하 Mach-Zehnder 변조기,Ge 포토다이오드,그리고 격자 연결기에 SOI 웨이퍼를
통해 300mm CMOS 흐름,사용 1.6 를 제공하고 양방향의 링크와 2-5pJ/비 효율성이다. 을 활용하여 인덱스 대비한<0.2dB/cm
손실에 1310nm,그들은 대체 pluggables 에 CPO ASICs 을 통해 마이크로렌즈 어레이 및 2.5D interposers. 배포에서
Nvidia/메타 AI 클러스터에 대한 GPU-to-GPU 직물 및 TSMC CoWoS-R HBM4,죽으면 잘라 SERDES 전력 50%대
NRZ 구리입니다.
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시장 정의와 역학
실리콘 포토닉스는 죽는 양식진 레이어에서 QSFP-DD/OSFP 모듈과 chip-on-wafer 광학 데이터
센터는 주장이 70%를 요구를 통해 400G DR4/800G SR8. 미국 리드에서 40%의 점유율을 통해 인텔 플랫폼;중국의 20%의
CAGR 에 반영 SMIC CoWoS 램프가 있습니다. 핵심 역학 포함 LPO(선형 플러그 optics)표준화하고 III-V 레이저 엉덩이 커플링
수익률을 치 90%CW 소스입니다.
AI 훈련 클러스터의 60%를 소비하는 2026 볼륨입니다.
시장 드라이버
- Hyperscaler
DC 구축을 초과하 KRW250B 매년 51.2T 스위치가 있습니다.
- AI/ML
inter-GPU 직물 까다로운 100T+aggregate 대역폭이 있습니다.
- 5G 프런트홀
소비 100G PSM4 을 위해 죽 C-RAN.
- 칩 행동을 보조금을
사용하는 미국 CPO 자격입니다.
시장 감금
- <70%의
결합은 효율성에서 가장자리/이미터 레이저를 팽창시키고 운영 비용.
- Thermo-섬유
튜닝이 소요 20mW/GHz 파장 안정성이 있습니다.
- 소 rib 도파관
휨 위 200°C reflow 한다.
시장 기회
- CoWoS/CoPoS
통합 AMD MI400 와 HBM4 스택입니다.
- 라이 Soc
결합 FMCW 송수신 처리합니다.
- 양자 광학 엔진을
사용하여 낮은 손실 MMI 됩니다.
경쟁적인 조경
Intel/TSMC 지배 70%을 통해 300mm 움으로 함께<1dB 삽입 손실 글로벌 파운드 목표
MEMS 튜닝,유럽 파운드리 전문 LiNbO3 하이브리드. 차별화를 통해 1xN Mux/DEMUX 밀도>16 채널/mm 입니다.
목록의 중요한 실리콘 포토닉스 죽 회사
- Intel
Corporation
- 대만 반도체
제조 회사(TSMC)
- 글로벌 파운드
Inc.
- Silex
Microsystems
- 탑 반도체
- Advanced
Micro 조
- VTT 기술
연구센터
- SilTerra
Malaysia Sdn Bhd
- IHP 마이크로전자공학
세그먼트에 의해 분석 유형
- 순수한
Foundry:62%의 점유율;팹리스 디자인 유연성에 대한 CoWoS.
- IDM:Intel's
embedded 광학에 대한 달 레이크 CPO.
응용 프로그램
- 데이터 센터:70%볼륨;800G
FR4 와 LPO.
- Non-데이터
센터 텔레콤 100G DWDM.
- 통신:지하철
ROADMs.
- 자동:Solid-state
lidar 에 905nm.
- 의료:OCT
도파관 분광학이 있습니다.
지역적 통찰력
북아메리카 규칙을 통해 hyperscaler capex,아시아-태평양을 가속화에 TSMC N3P CPO
quals;유럽 리드 감지를 통해 VTT photonics;라틴아메리카/MEA 등을 통해 해저 케이블 착륙.
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